سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND بسعة 1 تيرابايت

Clock
%d8%b3%d8%a7%d9%85%d8%b3%d9%88%d9%86%d8%ac %d8%aa%d8%a8%d8%af%d8%a3 %d8%a7%d9%84%d8%a5%d9%86%d8%aa%d8%a7%d8%ac %d8%a7%d9%84%d8%b6%d8%ae%d9%85 %d9%84%d8%b4%d8%b1%d8%a7%d8%a6%d8%ad Qlc V Nand %d8%a8

بدأت شركة سامسونج الإنتاج الضخم لشرائح QLC V-NAND الجديدة بسعة 1 تيرابايت، مما سيمثل إضافة كبيرة لحلول الذكاء الاصطناعي. وبذلك، تكون سامسونج قد أطلقت الجيل التاسع من شرائح NAND التي تعتمد على تقنية الخلايا الرباعية، حيث تتيح زيادة السعة لكل خلية حتى 4 بت.

هذه الشرائح تتميز بكثافة تخزينية مرتفعة، مما يعزز من سرعة القراءة والكتابة، مع تقليل استهلاك الطاقة بنسبة 30% خلال القراءة و50% خلال الكتابة.

يأتي هذا التطور في إطار سعي سامسونج للريادة في مجال تخزين البيانات والتكنولوجيا المتقدمة، حيث تمثل هذه الشرائح خطوة مهمة للأمام في تلبية احتياجات مختلف التطبيقات، بما في ذلك الحلول المدعومة بالذكاء الاصطناعي. وقد أوضح نائب الرئيس التنفيذي للشركة، “SungHoi Hur”، أن هذه الخطوة تأتي في توقيت مثالي، مما يزيد من أهمية هذه التكنولوجيا في المستقبل القريب.


عدد المصادر التي تم تحليلها: 4
المصدر الرئيسي : التقنية بلا حدود Sultan Alqahtani
post-id: 9984aee8-7f88-4de0-906a-07328743f898