تسعى سامسونج لتحقيق عائد بنسبة 70٪ من عملية Gate-All-Around (GAA) بتقنية 3 نانومتر، لكن تقارير حديثة تشير إلى أن هذه الأهداف تبدو بعيدة المنال. بينما حقق الجيل الأول من التكنولوجيا، المعروف باسم SF3E-3GAE، عائدات تتراوح بين 50-60٪، تبين أن الجيل الثاني المعروف باسم SF3-3GAP يعاني من أداء ضعيف، حيث لا تتجاوز العائدات 20٪.
هذا النقص في العائدات يهدد ثقة العملاء، حيث يفضل بعضهم تقنيات TSMC المعروفة بموثوقيتها. أدى هذا إلى اتخاذ شركات مثل كوالكوم قرارًا بالتوجه نحو تصنيع معالج Snapdragon 8 Elite باستخدام تكنولوجيا 3 نانومتر من TSMC.
تواجه سامسونج تحديات كبيرة في تطوير هذه التقنية، مما قد يدفع الشركة لتحويل مواردها نحو تطوير عقدة 2 نانومتر. بينما تستعد لإطلاق مجموعة جديدة من شرائح Exynos تحت الاسم الرمزي “Ulysses”، يبقى السؤال مفتوحًا حول ما إذا كانت ستحقق نجاحًا في تقنية 3 نانومتر أو ستواجه مزيدًا من التحديات في المستقبل.
عدد المصادر التي تم تحليلها: 2
المصدر الرئيسي : التقنية بلا حدود Sultan Alqahtani
post-id: b4c9e124-c4bf-4124-a629-7394618369ba
