تستعد شركة سامسونج لتقديم تحسينات ملحوظة في سلسلة Galaxy S25، حيث ستعتمد على ذاكرة عشوائية (RAM) جديدة لتحقيق أداء أفضل. بعد استخدام LPDDR5 في سلسلة Galaxy S23 وLPDDR5X في Galaxy S24، من المتوقع أن تستخدم سامسونج شرائح RAM بحجم 12 نانومتر، الأمر الذي سيوفر كفاءة أعلى واستهلاك أقل للطاقة.
تشير التقارير إلى أن التغييرات ستشمل توفير ذاكرة بسعة 12 جيجابايت للطراز الأساسي من S25، مما يعد تحسينًا كبيرًا مقارنة بسعة 8 جيجابايت الموجودة في الجيل السابق. هذا التعاون مع معالج Snapdragon 8 Elite سيوفر تجربة أداء قوية وسريعة للمستخدمين.
بالإضافة إلى ذلك، ستساعد تقنية تصنيع الشرائح الجديدة في تقليل الحرارة الناتجة، مما يعزز الأداء العام للأجهزة. مع هذه الابتكارات، تأمل سامسونج في وضع سلسلة Galaxy S25 في مقدمة المنافسة في سوق الهواتف الذكية.
عدد المصادر التي تم تحليلها: 1
المصدر الرئيسي : التقنية بلا حدود Sultan Alqahtani
post-id: 322b60c8-f30c-4f71-a0c2-762abfc8624b
