سامسونج تتجه لإنتاج HBM مخصص بدقة 2 نانومتر

سامسونج تخطط لإنتاج HBM مخصص بدقة 2 نانومتر

يشهد سوق الذاكرة عالية النطاق (HBM) نمواً سريعاً نتيجة الثورة في الذكاء الاصطناعي، وتعمل شركة سامسونج على تعزيز ريادتها التقنية عبر تطبيق أحدث تقنيات التصنيع. وفقاً لتقرير من موقع ZDNet، تخطط سامسونج لتطبيق دقة تصنيع 2 نانومتر على شريحة المنطق في شرائح HBM المخصصة.

تعتبر شريحة المنطق بمثابة “دماغ” الذاكرة، إذ تدير العمليات وتتحكم في تدفق البيانات، مما يتيح تحسينات ملحوظة في الأداء والكفاءة عند استخدام دقة 2 نانومتر. وقد أظهرت سامسونج تفوقها في مجال HBM4، حيث استخدمت تقنية 4 نانومتر في شريحة المنطق قبل منافسيها، وهي الآن تسعى للارتقاء بهذه الميزة مع تطوير شرائح HBM4E بدقة 2 نانومتر.

تعمل الشركة حالياً على إنتاج شرائح منطقية لمنتجات HBM باستخدام تقنيات تتراوح بين 4 و2 نانومتر، مما سيتيح دمج وظائف مصممة خصيصاً لتلبية احتياجات العملاء. من الجدير بالذكر أن سامسونج بدأت بالفعل في إنتاج معالج Exynos 2600 بدقة 2 نانومتر، بينما تستعد شركة TSMC لبدء الإنتاج الضخم على نفس العقدة في تايوان.

إن توسيع استخدام هذه التقنية المتقدمة في صناعة HBM يُتوقع أن يحدث طفرة كبيرة في قطاع أشباه الموصلات، مما يسهم في تلبية الزيادة المتزايدة في الطلب الناتج عن تطبيقات الذكاء الاصطناعي.